ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ES2DA R3G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Taiwan Semiconductor Corporation - ES2DA R3G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Taiwan Semiconductor Corporation - ES2DA R3G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 2 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES2D |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Taiwan Semiconductor Corporation ES2DA R3G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ES2DA R3G | ES2DA-13-F | ES2DBF | ES2D-LTP |
| ผู้ผลิต | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Yangjie Technology | Micro Commercial Co |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-214AC (SMA) | SMA | - | DO-214AC (SMA) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | - | 200 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A | 2A | - | 2A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 35 ns | 25 ns | - | 35 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | - | Standard |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | - | DO-214AC, SMA |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 950 mV @ 2 A | 920 mV @ 2 A | - | 950 mV @ 2 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | - | 5 µA @ 200 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | ES2D | ES2D | - | ES2D |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล ES2DA R3G PDF และเอกสาร Taiwan Semiconductor Corporation สำหรับ ES2DA R3G - Taiwan Semiconductor Corporation
ES2DBGSHIKUES
ES2D/2TElectro-Films (EFI) / VishayES2DA-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 2A SMAES2DBFYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single SMB
ES2D-TTaiwan Semiconductor
ES2DA_HFLITEONES2D-M R5GTaiwan SemiconductorES2D-LTPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
ES2D-M3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AAES2D/5TElectro-Films (EFI) / VishayES2DHE3/52TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AAES2D/55TElectro-Films (EFI) / VishayES2DA/TRTaiwan SemiconductorES2DA T/RTaiwan SemiconductorES2DHE3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
ES2D-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 200V 2A DO214ACES2D-SMBGWES2DHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที